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YJG100G08A实物图
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YJG100G08A

N沟道增强型场效应晶体管 停产

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
采用分裂栅沟槽MOSFET技术。具有出色的散热封装。高密度单元设计,实现低导通电阻。湿度敏感度等级为1级。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
品牌名称
YANGJIE(扬杰)
商品型号
YJG100G08A
商品编号
C2942430
商品封装
PDFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.19708克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))3.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)152W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)73nC@10V
输入电容(Ciss)5.666nF
反向传输电容(Crss)7.5pF
类型N沟道
输出电容(Coss)860pF

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