WPM3021A-8/TR
单P沟道,电流:-13.5A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WPM3021A-8/TR
- 商品编号
- C2941875
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,13.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.04nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WPM3021A是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM3021A为无铅产品。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
应用领域
- DC/DC转换器
- 电源转换器电路
- 便携式设备的负载/电源开关