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ESD63011N-2/TR

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：6A@8/20us

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描述: ESD63011N是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。ESD63011N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD63011N可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达6A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD63011N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。
品牌名称: WILLSEMI(韦尔)
商品型号: ESD63011N-2/TR
商品编号: C2941829
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.009克(g)

商品参数

商品概述

ESD63011N是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。 ESD63011N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD63011N可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达6A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。 ESD63011N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

商品特性

关断电压：最大5.0V
根据IEC61000 - 4 - 2（ESD）标准，每条线路的瞬态保护：±20 kV（接触放电）
IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：6A（8/20 μs）
超低电容：典型CJ = 0.6 pF
低钳位电压：典型VCL = 12 V，ωΠ|PP = 16 A（TLP）
固态硅技术

应用领域

USB 2.0
Type - C
便携式电子设备
笔记本电脑

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	10.5V
	峰值脉冲电流(Ipp)	6A@8/20us
	击穿电压	9V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	500nA
	通道数	单路
	防护等级	IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.6pF