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LP3443LT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.7A
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- 描述
- 特性：VDS = -20V。 RDS(ON) ≤ 70mΩ, @VGS = -4.5V, IDS = -4.7A。 RDS(ON) ≤ 110mΩ, @VGS = -2.5V, IDS = -1.0A。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 人体模型静电放电（ESD）等级为0级(<100V)
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP3443LT1G
- 商品编号
- C354989
- 商品封装
- SOT-23E
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 797.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88.5pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20V
- 当栅源电压（VGS） = -4.5V、漏源电流（IDS） = -4.7A 时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 70 mΩ
- 当栅源电压（VGS） = -2.5V、漏源电流（IDS） = -1.0A 时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 110 mΩ
- 我们声明该产品的材料符合 RoHS 要求且无卤。
- S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。
- 人体模型静电放电（ESD）等级为 0 级（<100V）
应用领域
- 先进的沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计