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G3404B
N沟道增强型功率MOSFET,电流:5.6A,耐压:30V
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G3404B
- 商品编号
- C2938776
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 526pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 69pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 78pF |
商品概述
50N06将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- VDS 30V
- ID(VGS = 10 V 时)5.6A
- RDS(ON)(VGS = 10 V 时)< 22 m Ω
- RDS(ON)(VGS = 4.5 V 时)< 35 m Ω
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC 转换器