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TSK82N30M
1个N沟道 耐压:300V 电流:82A
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术。这种先进技术专门用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合用于高功率逆变器、切割机。
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSK82N30M
- 商品编号
- C2935821
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 82A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 610W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.904nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 783pF |
商品概述
UTC 4N65-Q是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于高速开关应用，包括电源、PWM电机控制、高效AC-DC转换器和桥接电路。
商品特性
- 当VGS = 10V、ID = 2.2A时，RDS(ON) ≤ 3.1Ω
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力，高耐用性
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效AC-DC转换器
- 桥接电路