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BLM9435
P沟道增强模式功率MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:5.1A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- BL(上海贝岭)
- 商品型号
- BLM9435
- 商品编号
- C2932560
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 420pF |
商品概述
FH2050D采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种场合。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 50A
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 7 mΩ（最大值）
- 栅源电压（VGS） = 2.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 9 mΩ（最大值）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 稳定性好
- 采用散热性能良好的封装
应用领域
- 负载开关
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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