我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
HYG045P03LQ1C2实物图
  • HYG045P03LQ1C2商品缩略图
  • HYG045P03LQ1C2商品缩略图
  • HYG045P03LQ1C2商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HYG045P03LQ1C2

1个P沟道 耐压:30V 电流:80A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
-30V/-80A。在VGS = -10V时,RDS(ON) = 3.8mΩ(典型值)。在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 6.2mΩ(典型值)
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HYG045P03LQ1C2
商品编号
C2932576
商品封装
PPAK-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.21克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))6.2mΩ@4.5V,20A
耗散功率(Pd)62.5W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)131.3nC@10V
输入电容(Ciss)7.66nF
反向传输电容(Crss)575pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)649pF

商品概述

NCE6003X采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 60V,漏极电流ID = 3A
  • 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 90 mΩ
  • 当栅源电压VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 110 mΩ
  • 具备高功率和高电流处理能力
  • 符合无铅产品要求
  • 采用表面贴装封装

应用领域

  • 电池开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF