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U2104M
大电流IO半桥驱动器
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- 描述
- U2104(S/M) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，低至3.3V
- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- U2104M
- 商品编号
- C2932196
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 400mA | |
| 工作电压 | 8V~20V | |
| 上升时间(tr) | 100ns | |
| 下降时间(tf) | 50ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 680ns | |
| 传播延迟 tpHL | 150ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 150uA | |
| 功能特性 | 使能关断；内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
U2104M 是一款完全工作电压达 +600V 的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。其逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电平可低至 3.3V。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，旨在最小化驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，其工作电压最高可达 600 伏。
商品特性
- 集成自举二极管 (1)
- 专为自举操作设计的浮动通道
- 完全工作电压达 +600V
- 耐受负瞬态电压，抗 dV/dt 干扰
- 栅极驱动电源电压范围：4.8V 至 20V
- 欠压锁定功能
- 兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑电平
- 交叉导通预防逻辑
- 内部设定死区时间
- 高侧输出与输入同相
- 关断输入可同时关闭两个通道
- 两个通道匹配的传播延迟
应用领域
- 家用电器
- 工业应用和驱动器
- 电机驱动器
- DC-AC 转换器
- 感应加热
- HVAC