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U5115S
U5115S
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- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- U5115S
- 商品编号
- C2932197
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 7V~20V | |
| 上升时间(tr) | 600ns | |
| 下降时间(tf) | 190ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 600ns | |
| 传播延迟 tpHL | 280ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 300uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
U5115S/U5116S可在高达 +280V 的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于在高端配置中驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达280伏。
商品特性
- 集成BOOT - 为自举操作设计的浮动通道
- 可在高达 +280V 的电压下完全运行
- 耐受负瞬态电压，具备dV/dt免疫能力
- 栅极驱动电源范围为7至20V
- 欠压锁定
- 与3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
- 交叉导通预防逻辑
- 两个通道的传播延迟匹配
应用领域
- 家用电器
- 工业应用与驱动器
- 电机驱动器
- 直流、交流、永磁直流和永磁交流电机
- 感应加热