温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
U2106
U2106 停产
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- U2106
- 商品编号
- C2932195
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 500mA | |
| 拉电流(IOH) | 800mA | |
| 工作电压 | 9V~21V | |
| 上升时间(tr) | 72ns | |
| 下降时间(tf) | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 320ns | |
| 传播延迟 tpHL | 260ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 300uA | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
U2103/U2106是一款完全工作电压高达+600V的高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。其逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，旨在最小化驱动器的交叉导通。浮空通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。
商品特性
- 专为自举操作设计的浮空通道
- 完全工作电压高达+600V
- 耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源电压范围9V至21V
- 欠压锁定
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- 交叉导通预防逻辑
- 双通道匹配的传播延迟
应用领域
- 家用电器
- 工业应用与驱动
- 电机驱动器
- DC-AC转换器
- 感应加热
- HVAC