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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 69pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具备卓越的制造重复性。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 面向应用的特性表征
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用
- DPAK