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TPIC6C595DR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPIC6C595DR

开路漏极输出 8位串行至串行或并行移位寄存器

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描述
TPIC6C595 100mA/通道 8 位移位寄存器
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
TPIC6C595DR
商品编号
C350572
商品封装
SOIC-16​
包装方式
编带
商品毛重
0.247克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录移位寄存器
功能串行至串行或并行
工作电压4.5V~5.5V
时钟频率(fc)-
元件数1
输出类型开漏
属性参数值
系列TPIC
传播延迟(tpd)15ns@5V,30pF
输出电流100mA
分辨率(位)8
工作温度-40℃~+125℃
功能特性异步清零功能;输出使能

商品概述

TPIC6C595是一款单片中压低电流8位功率移位寄存器,适用于需要相对中等负载功率的系统,例如LED。该器件输出端内置电压钳位,用于电感瞬态保护;包含8位串行输入、并行输出移位寄存器,为8位D型存储寄存器提供输入,分别在移位寄存器时钟SRCK和寄存器时钟RCK的上升沿完成移位寄存器和存储寄存器的数据传输,SRCK上升沿通过串行输出端口输出数据。当移位寄存器清零端CLR为高电平时,存储寄存器将数据传输到输出缓冲区;CLR为低电平时,输入移位寄存器清零。当输出使能G为高电平时,输出缓冲区所有数据保持低电平,所有漏极输出关闭;G为低电平时,存储寄存器的数据直接传输到输出缓冲区。输出缓冲区数据为低电平时DMOS晶体管输出关闭,为高电平时DMOS晶体管输出具备灌电流能力,串行输出支持器件级联扩展。输出为低侧开漏DMOS晶体管,额定输出为33V,连续灌电流能力100mA;壳温25℃时每个输出最大电流限制为250mA,结温升高时电流限制会降低,为器件提供额外保护。器件可提供最高2500V的ESD保护,工作壳温范围为-40℃到125℃。

商品特性

  • 导通电阻典型值低,为7Ω
  • 雪崩能量为30mJ
  • 集成8个功率DMOS晶体管输出,支持100mA连续电流
  • 具备250mA电流限制能力
  • ESD保护可达2500V
  • 输出钳位电压为33V
  • 支持器件级联扩展
  • 低功耗
  • 具备温度自适应保护机制,电流限制随结温升高而降低
  • 采用串行输入并行输出结构

应用领域

  • 仪器仪表盘
  • 指示灯
  • LED照明与控制
  • 继电器驱动
  • 螺线管驱动
  • 低中功率负载驱动