TPIC6C595DR
开路漏极输出 8位串行至串行或并行移位寄存器
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- 描述
- TPIC6C595 100mA/通道 8 位移位寄存器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPIC6C595DR
- 商品编号
- C350572
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.247克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 移位寄存器 | |
| 功能 | 串行至串行或并行 | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 元件数 | 1 | |
| 输出类型 | 开漏 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 系列 | TPIC | |
| 传播延迟(tpd) | 15ns@5V,30pF | |
| 输出电流 | 100mA | |
| 分辨率(位) | 8 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 异步清零功能;输出使能 |
商品概述
TPIC6C595是一款单片中压低电流8位功率移位寄存器,适用于需要相对中等负载功率的系统,例如LED。该器件输出端内置电压钳位,用于电感瞬态保护;包含8位串行输入、并行输出移位寄存器,为8位D型存储寄存器提供输入,分别在移位寄存器时钟SRCK和寄存器时钟RCK的上升沿完成移位寄存器和存储寄存器的数据传输,SRCK上升沿通过串行输出端口输出数据。当移位寄存器清零端CLR为高电平时,存储寄存器将数据传输到输出缓冲区;CLR为低电平时,输入移位寄存器清零。当输出使能G为高电平时,输出缓冲区所有数据保持低电平,所有漏极输出关闭;G为低电平时,存储寄存器的数据直接传输到输出缓冲区。输出缓冲区数据为低电平时DMOS晶体管输出关闭,为高电平时DMOS晶体管输出具备灌电流能力,串行输出支持器件级联扩展。输出为低侧开漏DMOS晶体管,额定输出为33V,连续灌电流能力100mA;壳温25℃时每个输出最大电流限制为250mA,结温升高时电流限制会降低,为器件提供额外保护。器件可提供最高2500V的ESD保护,工作壳温范围为-40℃到125℃。
商品特性
- 导通电阻典型值低,为7Ω
- 雪崩能量为30mJ
- 集成8个功率DMOS晶体管输出,支持100mA连续电流
- 具备250mA电流限制能力
- ESD保护可达2500V
- 输出钳位电压为33V
- 支持器件级联扩展
- 低功耗
- 具备温度自适应保护机制,电流限制随结温升高而降低
- 采用串行输入并行输出结构
应用领域
- 仪器仪表盘
- 指示灯
- LED照明与控制
- 继电器驱动
- 螺线管驱动
- 低中功率负载驱动



