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DMD4N65-TU
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
描述
打线工艺
- 品牌名称DIYI(迪一/芯诺)
商品型号
DMD4N65-TU商品编号
C2929664商品封装
TO-252包装方式
管装
商品毛重
0.693克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.6Ω@10V,2A | |
| 功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 600pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 23pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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