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DMD7N65-TR
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 打线工艺
- 品牌名称
- DIYI(迪一/芯诺)
- 商品型号
- DMD7N65-TR
- 商品编号
- C2929665
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 当VGS为10 V、ID为3.3 A时，RDS(ON) < 1.9 Ω
- 快速开关能力
- 低栅极电荷
- 符合欧盟RoHS指令的无铅产品
- 环保模塑料