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DMD4N60-TR
1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 描述
- 打线工艺
- 品牌名称
- DIYI(迪一/芯诺)
- 商品型号
- DMD4N60-TR
- 商品编号
- C2929668
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.468克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 77W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 屏蔽栅沟槽技术
- 低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷
- 快速开关
- 出色的雪崩特性
- 100% 非钳位感性开关（UIS）测试、100% 栅极电阻（Rg）测试
- 高电流能力
应用领域
- 电机控制与驱动
- 不间断电源（UPS）
- 电池管理