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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PDMP2004DWK

双通道P沟道增强型MOSFET 耐压:20V 电流:1.1A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
PDMP2004DWK
商品编号
C2928735
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.1A
导通电阻(RDS(on))680mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)280mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)500pC@4.5V
输入电容(Ciss)55pF
反向传输电容(Crss)4.5pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)6pF

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB封装在功率耗散水平约为50 W的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。

商品特性

  • 快速开关
  • 提供绿色环保器件
  • 适用于1.5V栅极驱动应用

应用领域

  • 笔记本电脑
  • 负载开关
  • 网络设备
  • 手持仪器

数据手册PDF