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SI7112DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:17.8A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 新型低热阻PowerPAK封装，高度仅1.07 mm。 100%进行Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：同步整流
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7112DN-T1-GE3
- 商品编号
- C2926777
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
N沟道30 V(D - S)快速开关MOSFET,PowerPAK 1212 - 8是PowerPAK SO - 8的衍生产品,采用相同封装技术以最大化芯片面积。芯片底部的连接垫暴露,为安装设备的基板提供直接、低电阻的热路径,将PowerPAK SO - 8的优势转化到更小的封装中,具有相同的热性能水平。其占地面积与TSOP - 6相当,比标准TSSOP - 8小40%以上,芯片容量是标准TSOP - 6的两倍多,热性能比SO - 8好一个数量级,比TSSOP - 8好20倍,能利用任何PC板散热器能力,与TSSOP - 8相比,可使结温降低,芯片效率提高约20%。单双版本的PowerPAK 1212 - 8与单双PowerPAK SO - 8使用相同的引脚输出,1.05 mm的低高度使其成为空间受限应用的理想选择。
商品特性
- 根据IEC 61249 - 2 - 21定义为无卤产品
- 沟槽式场效应管功率MOSFET
- 新型低热阻PowerPAK封装,高度仅1.07 mm
- 100%进行栅极电阻测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-同步整流-N沟道MOSFET