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SI7112DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:17.8A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 新型低热阻PowerPAK封装，高度仅1.07 mm。 100%进行Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：同步整流
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7112DN-T1-GE3
- 商品编号
- C2926777
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品特性
- 低栅极电荷Qg，驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt耐受性
- 完整表征了电容、雪崩电压和电流
- 增强了体二极管的dV/dt能力
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 硬开关初级或PFC开关
- 开关电源（SMPS）
- 不间断电源
- 高速功率开关
- 电机驱动