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ATM10N10SQ实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ATM10N10SQ

N沟道,电流:10A,耐压:100V

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商品型号
ATM10N10SQ
商品编号
C2925131
商品封装
SOT-89-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.181克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))145mΩ@6V,5A
耗散功率(Pd)1.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.7V@250uA
栅极电荷量(Qg)12.7nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)182pF@15V
反向传输电容(Crss)3.6pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 提供绿色环保器件
  • 超低栅极电荷
  • 出色的 Cdv/dt 效应抑制能力
  • 先进的高单元密度沟槽技术

应用领域

  • 开关应用
  • 逆变器系统电源管理
  • 电池管理

数据手册PDF