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ATM2602NSG
N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 特性：SOT-23-6L封装。 Trench FET功率MOSFET。 出色的RDS(on)和低栅极电荷。 RDS(ON) < 65mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 85mΩ (VGS = 2.5V)。应用：继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器。 电源转换器电路
- 品牌名称
- Agertech(艾吉芯)
- 商品型号
- ATM2602NSG
- 商品编号
- C2925124
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
- 出色的导通电阻RDS(on)和低栅极电荷
- 导通电阻RDS(ON) < 65 mΩ(栅源电压VGS = 4.5 V)
- 导通电阻RDS(ON) < 85 mΩ(栅源电压VGS = 2.5 V)
应用领域
- 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器
- 电源转换器电路
- 便携式设备的负载/电源开关
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