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HYG022N10NS1TA
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:100V 电流:249A
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- 描述
- 特性：100V/249A，RDS(on) = 2.2mΩ（典型值）@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG022N10NS1TA
- 商品编号
- C2925050
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 249A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 160.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.026nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 186.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.51nF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 3.5A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 100mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 120mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换