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DMN3008SCP10-7
N沟道增强型场效应管,电流:14.6A,耐压:30V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3008SCP10-7
- 商品编号
- C2922353
- 商品封装
- X4-DSN3415-10
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.476nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
新一代MOSFET经过设计,在3.37mm×1.47mm×0.2mm尺寸下,实现导通电阻(Rss(on))最小化,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 由于具有出色的换向耐用性，适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
- 显著降低开关损耗和传导损耗
- 所有产品的ESD耐用性极佳，>2kV（HBM）
- 低RDS(on)A（低于1欧姆平方毫米）使RDS(on)/封装产品比竞品更具优势
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护