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DMP2005UFG-13
1个P沟道 耐压:20V 电流:89A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2005UFG-13
- 商品编号
- C2922355
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.179333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 89A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.67nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 低RDS(ON)—— 确保将导通状态损耗降至最低
- 小尺寸、热效率高的封装(PowerDI),可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO - 8封装33%的电路板面积,可实现更小尺寸的终端产品
- 无铅表面处理;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 通过AEC - Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
-负载开关-电源管理功能