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NTH4L013N120M3S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTH4L013N120M3S

13毫欧、1200V碳化硅MOSFET

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTH4L013N120M3S
商品编号
C30164885
商品封装
TO-247-4L​
包装方式
管装
商品毛重
9.28克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)151A
耗散功率(Pd)682W
阈值电压(Vgs(th))4.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)254nC
输入电容(Ciss)5.813nF
反向传输电容(Crss)21pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)262pF
导通电阻(RDS(on))13mΩ

商品特性

  • 典型导通电阻RDS(on) = 13mΩ,栅源电压VGS = 18V时
  • 超低栅极电荷(QG(tot) = 254nC)
  • 低电容高速开关(Coss = 262pF)
  • 100%雪崩测试
  • 该器件无卤化物,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连无铅

应用领域

  • 太阳能逆变器
  • 电动汽车充电站
  • 不间断电源(UPS)
  • 储能系统
  • 开关电源(SMPS)

数据手册PDF