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BRCS350P04DP

P沟道 耐压:40V 电流:27.5A

描述
TO-252 塑封封装 P 沟道场效应管 用于低压电路如:汽车电路、DC/DC 转换、便携式产品的电源高效转换 -20V -27.5A
商品型号
BRCS350P04DP
商品编号
C30169763
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.398克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)27.5A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@10V
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)16.5nC
输入电容(Ciss)1.5nF@25V
反向传输电容(Crss)440pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

UMW IRFR540ZTR采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 具备高静电放电(ESD)能力的特殊工艺技术
  • 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(ON)
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 漏源电压VDS(V) = 100 V
  • 漏极电流ID = 30 A(栅源电压VGS = 10 V)
  • 导通电阻RDS(ON)< 28 mΩ(栅源电压VGS=10 V)(典型值:24 mΩ)
  • 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能良好的出色封装

应用领域

  • 用于低压电路如:汽车电路、DC/DC 转换、便携式产品的电源高效转换。
  • Suited for low voltage applications such as automotive, DC/DC Converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated products.

数据手册PDF