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MT29F2G08ABAEAH4:E
2Gb：x8、x16 NAND闪存
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- 描述
- 特性：符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8：2112字节 (2048 + 64 字节)。页面大小x16：1056字 (1024 + 32 字)。块大小：64页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2个平面，每个平面1024个块
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F2G08ABAEAH4:E
- 商品编号
- C2909811
- 商品封装
- FBGA-63
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 200us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 700us | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能 |
商品特性
- 单层单元技术
- 组织结构：页大小x8为2112字节，页大小x16为1056字，块大小为64页，平面大小为每平面1024块，器件大小为2Gb
- 异步输入/输出性能：tRC / tWC为20纳秒，25纳秒
- 阵列性能：读页为25微秒，编程页为200微秒，擦除块为700微秒
- 命令集：ONFI NAND闪存协议
- 操作状态字节提供检测操作完成、通过/失败条件、写保护状态的软件方法
- 就绪/忙信号提供检测操作完成的硬件方法
- 写保护信号用于写保护整个器件
- 出厂时第一个块带有纠错码有效
- 如果编程/擦除周期少于1000次，块0需要1位纠错码
- 上电后需要复位作为第一条命令
- 支持在读取数据的平面内进行内部数据移动操作
- 质量和可靠性：数据保持时间为10年，耐久性为100000次编程/擦除周期
- 工作电压范围：VCC为2.7 - 3.6伏，VCC为1.7-1.95伏
- 工作温度：商业级为0°C至+70°C，工业级为-40°C至+85°C，汽车工业级为-40°C至+85°C，汽车级为-40°C至+105°C
- 封装：48引脚TSOP类型1，63球VFBGA
- MT29F2G08ABBEAH4-IT:E
- MT29F4G08ABADAH4-IT:D
- MTFC4GACAALT-4M IT
- MT29F64G08AJABAWP-IT:B
- MT41K128M16JT-125 AAT:K
- MT47H64M16NF-25E AAT:M
- MT47H64M16NF-25E AIT:M
- AMS1117-5.0
- RY8017
- RT9080N-08GJ5
- 92
- SHT40-AD1B-R2
- 2047110001
- APV1111GVY
- APV3111GVY
- H5TQ2G63GFR-TEC
- ERJ-8BWFR075V
- S25FL064LABMFI010
- CYUSB3065-BZXI
- S25FS512SAGMFI011
- SMAJ85A