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MT29F2G08ABBEAH4-IT:E
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F2G08ABBEAH4-IT:E
- 商品编号
- C2909812
- 商品封装
- VFBGA-63(9x11)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 5.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口（ONFI）1.0标准
- 采用单级单元（SLC）技术
- 组织架构：
- x8页大小：2112字节（2048 + 64字节）
- x16页大小：1056字（1024 + 32字）
- 块大小：64页（128K + 4K字节）
- 平面大小：2个平面，每个平面1024个块
- 器件大小：2Gb，2048个块
- 异步I/O性能：tRC / tWC：20ns（3.3V），25ns（1.8V）
- 阵列性能：
- 读取页：25μs
- 编程页：200μs（典型值：1.8V，3.3V）
- 擦除块：700μs（典型值）
- 命令集：ONFI NAND闪存协议，高级命令集
- 编程页缓存模式
- 读取页缓存模式
- 一次性可编程（OTP）模式
- 双平面命令
- 交错管芯（LUN）操作
- 读取唯一ID
- 块锁定（仅1.8V）
- 内部数据移动
- 操作状态字节提供检测操作完成、通过/失败条件、写保护状态的软件方法
- 就绪/忙（R/B#）信号提供检测操作完成的硬件方法
- WP#信号：对整个器件进行写保护
- 出厂时带有ECC的第一个块（块地址00h）有效。关于最小所需ECC，请参阅错误管理
- 如果编程/擦除周期少于1000次，块0需要1位ECC
- 上电后第一个命令需要复位（FFh）
- 上电后有替代的器件初始化方法（Nand_Init）（联系厂家）
- 支持在读取数据的平面内进行内部数据移动操作
- 质量和可靠性：
- 数据保留：10年
- 耐久性：100,000次编程/擦除周期
- 工作电压范围：
- VCC：2.7 - 3.6V
- VCC：1.7 - 1.95V
- 工作温度：
- 商用：0°C至+70°C
- 工业（IT）：-40°C至+85°C
- 汽车工业（AIT）：-40°C至+85°C
- 汽车（AAT）：-40°C至+105°C
- 封装：
- 48引脚TSOP类型1，CPL²
- 63球VFBGA