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MT29F2G08ABBEAH4-IT:E
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F2G08ABBEAH4-IT:E
- 商品编号
- C2909812
- 商品封装
- VFBGA-63(9x11)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 5.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口规范
- 采用单层单元技术
- 组织结构：x8位宽页大小为2112字节；x16位宽页大小为1056字；块大小为64页；每个平面包含1024个块；器件总容量为2Gb，包含2048个块
- 异步输入/输出性能：读取/写入周期时间为20纳秒或25纳秒
- 阵列性能：读取页时间为25微秒；编程页时间典型值为200微秒；擦除块时间典型值为700微秒
- 支持高级命令集，包括页缓存编程模式、页缓存读取模式、一次性可编程模式、双平面命令、交错逻辑单元操作、读取标识符、块锁定以及内部数据搬移
- 操作状态字节提供检测操作完成、通过/失败条件以及写保护状态的软件方法
- 就绪/忙信号提供检测操作完成的硬件方法
- 写保护信号用于保护整个器件
- 出厂时首块带有纠错码，若编程/擦除循环少于1000次，首块需要1位纠错码
- 上电后需首先执行复位命令，或采用替代的器件初始化方法
- 支持在读取数据的平面内进行内部数据搬移操作
- 质量与可靠性：数据保持时间为10年；耐受性为100,000次编程/擦除循环
- 工作电压范围：2.7伏至3.6伏，或1.7伏至1.95伏
- 工作温度范围：商业级为0摄氏度至正70摄氏度；工业级为负40摄氏度至正85摄氏度；汽车工业级为负40摄氏度至正85摄氏度；汽车级为负40摄氏度至正105摄氏度
- 封装：48引脚薄型小外形封装或63焊球细间距球栅阵列封装