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MT29F4G01ABAFDWB-IT:F
4Gb、3.3V、x1/x2/x4接口的SPI NAND闪存
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- 描述
- 特性：单级单元（SLC）技术。4Gb密度。页面大小×1：4352字节（4096 + 256字节）。块大小：64页（256K + 16K字节）。平面大小：1×2048块。标准和扩展SPI兼容串行总线接口
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F4G01ABAFDWB-IT:F
- 商品编号
- C2909506
- 商品封装
- UPDFN-8
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.325克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 接口类型 | SPI | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 200us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；软件复位功能；写使能锁存；软件写保护功能 |
商品概述
该器件是一款4Gb容量的NAND闪存，采用单层单元技术，并集成了串行外设接口。它提供标准且扩展的SPI兼容串行总线接口，支持多种数据传输模式。该器件默认启用内部ECC，并支持用户可选的内置ECC。其阵列性能包括最高133 MHz的时钟频率，以及在不同ECC启用状态下的页读取、页编程和块擦除时间。该器件具备先进的特性，如读取页缓存模式、读取ID和读取参数页。设备初始化在加电后自动完成。安全特性包括软件写保护、硬件写保护、锁定保护、永久块锁定保护以及一次性可编程空间。该器件在质量和可靠性方面满足100,000次编程/擦除循环的耐久性要求，符合JESD47H标准的数据保持能力，以及在85℃下10年的无循环数据保持期。
商品特性
- 采用单层单元技术，容量为4Gb
- 组织架构：×1模式下的页大小为4352字节；块大小为64页；平面大小为1×2048个块
- 标准且扩展的SPI兼容串行总线接口
- 指令和地址在1个引脚上传输；数据输出可在1、2或4个引脚上传输
- 指令在1个引脚上传输；地址和数据输出可在2或4个引脚上传输
- 指令和地址在1个引脚上传输；数据输入可在1或4个引脚上传输
- 支持块内连续读取、加电就绪或可通过特性寄存器配置
- 默认启用内部ECC，支持用户可选的内置ECC，为8位/扇区
- 阵列性能：最高时钟频率为133 MHz；禁用片上ECC时最大页读取时间为25μs，启用时为115μs；禁用片上ECC时典型页编程时间为200μs，启用时为240μs；典型块擦除时间为2ms
- 先进特性：支持读取页缓存模式；支持读取ID；支持读取参数页
- 设备初始化：加电后自动进行设备初始化
- 安全特性：出厂时块7:0在启用ECC的情况下有效；支持通过锁定寄存器实现软件写保护；支持通过硬件写保护冻结块保护位；支持在单个电源周期内通过锁定保护冻结块保护位；支持永久块锁定保护；提供10页一次性可编程NAND闪存区域的OTP空间
- 质量与可靠性：耐久性为100,000次编程/擦除循环；数据保持符合JESD47H标准；在85℃下无循环数据保持期为10年