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QS6K1TR
耐压:30V 电流:1A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 内置G-S保护二极管。 小型表面贴装封装（TSMT6）。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- QS6K1TR
- 商品编号
- C2909285
- 商品封装
- SC-95
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 252mΩ@4.0V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 77pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
WSF3410是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSF3410符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关
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