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RJK005N03T146实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RJK005N03T146

1个N沟道 耐压:30V 电流:500mA

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描述
特性:低导通电阻。 低电压驱动(2.5V驱动)。应用:开关
品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
RJK005N03T146
商品编号
C2909289
商品封装
TO-236-3(SOT-23-3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.033克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)500mA
导通电阻(RDS(on))940mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)200mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V@1mA
栅极电荷量(Qg)4nC@4V
输入电容(Ciss)60pF@10V
反向传输电容(Crss)12pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

WSP8205A是一款高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSP8205A符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。

商品特性

~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供绿色环保器件

应用领域

  • 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、视频图形阵列(VGA)的高频负载点同步小功率开关
  • 网络直流-直流电源系统

数据手册PDF