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RSR025N03TL
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.5A
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RSR025N03TL
- 商品编号
- C2909290
- 商品封装
- TSMT-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 165pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WSF09N20G是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSF09N20G符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
-低导通电阻-内置栅源保护二极管-小型表面贴装封装(TSMT3)
应用领域
-电源开关-直流-直流转换器