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NCE3400X

1个N沟道 耐压:30V 电流:5.1A

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描述
采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品型号
NCE3400X
商品编号
C2908041
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.051克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.1A
导通电阻(RDS(on))55mΩ@2.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)9.3nC@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • VDS = 30V, ID = 5.1A
  • RDS(ON) < 55 m Ω(@ VGS = 2.5 V)
  • RDS(ON) < 39 m Ω(@ VGS = 4.5 V)
  • RDS(ON) < 33 m Ω(@ VGS = 10 V)
  • 高功率和电流处理能力
  • 符合无铅产品要求
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 电池保护
  • 开关应用
  • PWM应用
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF