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MJD32CT4
PNP 电流:3A 电压:100V
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- 描述
- 该器件采用具有“基极岛”布局的平面技术制造。由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和极低的饱和电压。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- MJD32CT4
- 商品编号
- C2905365
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 直流电流增益(hFE) | 25@3A,4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.2V@3A,375mA | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |