温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

LMUN5311DW1T1G

双偏置电阻晶体管，NPN和PNP硅材质，表面贴装

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。在该系列中，两个互补的BRT器件封装在SOT-363封装中，这对于电路板空间有限的低功率表面贴装应用来说是理想的。简化电路设计，减少电路板空间，减少组件数量。产品材料符合RoHS要求且无卤素。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。
品牌名称: LRC(乐山无线电)
商品型号: LMUN5311DW1T1G
商品编号: C2905405
商品封装: SOT-363
包装方式: 编带
商品毛重: 0.028克(g)

商品参数

商品概述

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，从而省去了这些组件。在LMUN5311DW1T1G系列中，两个互补的BRT器件封装在SOT - 363封装中，这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用而言是理想选择。

商品特性

简化电路设计
减少电路板空间
减少元件数量
我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤素。
以S开头的型号适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	数字晶体管
	集射极击穿电压(Vceo)	50V
	集电极电流(Ic)	100mA
	耗散功率(Pd)	187mW
	晶体管类型	PNP+NPN

	属性	参数值
	直流电流增益(hFE)	35@5mA,10V
	输出电压(VO(on))	200mV
	输入电阻	10kΩ
	电阻比率	1
	工作温度	-55℃~+150℃