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VSI008N10MS3-K
100V/56A N沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 100V/56A N沟道先进功率MOSFET
- 品牌名称
- Vergiga(威兆)
- 商品型号
- VSI008N10MS3-K
- 商品编号
- C2905395
- 商品封装
- QIPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.39275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 输出电容(Coss) | 795pF |
商品概述
SOT-23 塑封封装的 N 沟道 MOS 场效应管。
商品特性
- 增强型
- 当VGS = 10 V时,导通电阻RDS(on)极低
- VitoMOS II技术
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- QIPAK封装
- 无铅
- 无卤
应用领域
- 电池管理
- 高速开关
- 低功率 DC-DC 转换
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