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18N10W
1个N沟道 耐压:100V 电流:18A
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- 18N10W
- 商品编号
- C337515
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 47W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.38nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
18N10w将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的 RDS(on)。该器件非常适合用于功率开关应用。
应用领域
- 功率开关应用
- LED背光