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80N06
N沟道,电流:80A,耐压:60V
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- 描述
- -
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- 80N06
- 商品编号
- C337512
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.653克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.7mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 71W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.498nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
80N06-251采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS下具备良好的稳定性和一致性
- 出色的封装，散热性能良好
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关应用
- LED背光
- 不间断电源