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CMS120N080B
SiC N沟道MOSFET，具备高速开关、高阻断电压和快速反向恢复特性，低电容、高系统效率，易于并联
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- 描述
- SiC N-Channel MOSFET,1200V,35A
- 品牌名称
- Bruckewell(隽佾)
- 商品型号
- CMS120N080B
- 商品编号
- C29781281
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.61克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 耗散功率(Pd) | 188W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.377nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 62pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@20V |