温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STU314D-VB
N沟道+P沟道 耐压:60V 电流:35A 19A
- 描述
- TO252-4；N+P—Channel沟道,±60V；35/-19A；RDS(ON)=30/50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STU314D-VB
- 商品编号
- C29779241
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A；19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V；50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V；10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF；1.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79pF；60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 84pF；84pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单