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AP3R604GMT-HF-VB
N沟道 耐压:40V 电流:120A
- 描述
- DFN8(5X6)；N—Channel沟道,40V；120A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AP3R604GMT-HF-VB
- 商品编号
- C29779259
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@6.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 610pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 100%进行非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流
- 次级侧DC/DC
- N沟道MOSFET