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RTQ040P02TR-VB
P沟道 耐压:30V 电流:4.8A
- 描述
- SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RTQ040P02TR-VB
- 商品编号
- C29779009
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.074克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@10V；54mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
交货周期
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