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SM4309PSK-VB
P沟道 耐压:30V 电流:18A
- 描述
- SOP8；P—Channel沟道,-30V；-18A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SM4309PSK-VB
- 商品编号
- C29779030
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V；8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.42nF |
商品特性
- 沟槽第四代P沟道功率MOSFET
- 可实现更高的功率密度
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-移动设备电池管理-适配器和充电器开关-电池开关-负载开关
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