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SH8J66TB-VB
P沟道 耐压:30V 电流:12A
- 描述
- SOP8；2个—Channel沟道,-30V；-12A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SH8J66TB-VB
- 商品编号
- C29779014
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V；13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V；15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
应用领域
- 负载开关
- 笔记本电脑
- 台式电脑
- 游戏机