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GL1S12N06L-D8实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GL1S12N06L-D8

N沟道,电流:12A,耐压:60V

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品牌名称
GL(光磊)
商品型号
GL1S12N06L-D8
商品编号
C2891512
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.161克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)58mΩ@10V,6A
功率35W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6.6nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)250pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)20pF
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF