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PJM10H03NSC

N沟道增强型功率MOSFET N沟道耐压:100V 电流:3A

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描述: 特性：VDS = 100V，ID = 3A。 RDS(ON) < 160mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 170mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V。高密度单元设计，实现超低RDS(ON)。出色的封装，利于散热。应用：电源开关应用。不间断电源
品牌名称: PJSEMI(平晶微)
商品型号: PJM10H03NSC
商品编号: C2891566
商品封装: SOT-23-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.045克(g)

商品参数