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PJM10H03NSC
N沟道增强型功率MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- 特性：VDS = 100V，ID = 3A。 RDS(ON) < 160mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 170mΩ (典型值) @ VGS = 4.5V。 高密度单元设计，实现超低RDS(ON)。 出色的封装，利于散热。应用：电源开关应用。 不间断电源
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM10H03NSC
- 商品编号
- C2891566
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 100 V,ID = 3 A
- VGS = 10 V时,RDS(ON) < 160 mΩ(典型值)
- VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 170 mΩ(典型值)
- 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 出色的封装,具备良好的散热性能
应用领域
- 电源开关应用
- 不间断电源
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