温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G
2Gb:x8 NAND闪存
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8：2176字节 (2048 + 128字节)。块大小：64页 (128K + 8K字节)。平面大小：2个平面，每个平面1024个块。设备大小：2Gb，2048个块
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F2G08ABAGAWP-IT:G
- 商品编号
- C2891524
- 商品封装
- TFSOP-48-18.4mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.944克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 20ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 200us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能 | |
| ECC | 有 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口1.0规范
- 采用单层单元技术
- 组织架构
- x8位宽页大小：2176字节（2048 + 128字节）
- 块大小：64页（128K + 8K字节）
- 平面大小：2个平面，每个平面1024个块
- 器件容量：2Gb：2048个块
- 异步输入/输出性能
- tRC/tWC：20ns/20ns（3.3V），30ns/30ns（1.8V）
- 阵列性能
- 读页时间：25μs
- 编程页时间：200μs（典型值，3.3V/1.8V）
- 擦除块时间：2ms（典型值）
- 命令集：ONFI NAND闪存协议
- 高级命令集
- 编程页缓存模式
- 读页缓存模式
- 永久块锁定（块47:0）
- 一次性可编程模式
- 块锁定
- 可编程驱动强度
- 双平面命令（仅在ECC关闭时可用）
- 读取标识符
- 内部数据搬移
- 操作状态字节提供检测以下状态的软件方法
- 操作完成
- 通过/失败状态
- 写保护状态
- 就绪/忙信号提供检测操作完成的硬件方法
- WP信号：写保护整个器件
- 出厂时块7-0在启用ECC的情况下有效。关于最低要求的ECC，请参见错误管理。
- 上电后需要将复位命令作为第一条命令
- 上电后器件初始化的替代方法（联系工厂）
- 支持在读取数据的平面内进行内部数据搬移操作
- 质量和可靠性
- 耐久性：100,000次编程/擦除循环
- 数据保持：符合JESD47G标准；参见认证报告
- 其他：未循环数据保持：在85°C下10年，24/7运行
- 工作电压范围
- VCC：2.7 - 3.6V
- VCC：1.7 - 1.95V
- 工作温度：
- 工业级：-40°C 到 +85°C
- 封装
- 48引脚TSOP类型1，中心分模线
- 63球VFBGA