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TSJ10N06AT
1个N沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TSJ10N06AT
- 商品编号
- C329320
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.134nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽功率双扩散金属氧化物半导体（DTMOS）技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 针对快速开关应用进行优化
应用领域
- 直流/直流和交流/直流转换器中的同步整流
- 电信和工业领域的隔离式直流/直流转换器