TSG12N10AT
1个N沟道 耐压:100V 电流:55A
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- 品牌名称无锡紫光微
商品型号
TSG12N10AT商品编号
C329324商品封装
DFN-8-EP(5.8x5.3)包装方式
编带
商品毛重
0.188克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 55A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V,20A | |
功率(Pd) | 56.5W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
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