TLE2074AIDW

TLE207x 系列 JFET 输入运算放大器的带宽是 TL07x 和 TL08x 系列 BiFET 运算放大器的两倍多，压摆率是它们的三倍多。德州仪器的 Excalibur 工艺产生的典型本底噪声为 11.6 nV/√Hz，保证最大本底噪声为 17 nV/√Hz，为使用 TL07x 设计的噪声敏感电路带来了直接的性能提升。TLE207x 还具有更宽的电源电压轨，将 BiFET 电路的动态信号范围增加到 ±19 V。片上齐纳微调失调电压可实现精密等级，提高直流耦合应用的精度。TLE207x 与性能较低的 BiFET 运算放大器引脚兼容，便于在现有设计中提升性能。 BiFET 运算放大器具有 JFET 输入晶体管固有的较高输入阻抗，同时不牺牲与双极放大器相关的输出驱动能力。这使得它们更适合与高阻抗传感器或非常低电平的交流信号接口。与具有可比功耗的双极或 CMOS 器件相比，它们还具有固有的更好交流响应。 TLE207x 系列 BiFET 放大器是高性能 BiFET，具有更严格的输入失调电压和保证的最大噪声规格。对于规格要求不那么严格，但希望获得 TLE207x 改进的交流特性的设计人员，应考虑 TLE208x 运算放大器系列。 由于 BiFET 运算放大器是为双电源使用而设计的，因此在单电源供电时，必须注意共模输入电压限制和输出摆幅。需要对输入信号进行直流偏置，并且负载应端接至电源中点的虚拟接地节点。在单电源供电下使用 BiFET 放大器时，TLE2426 集成虚拟接地发生器很有用。 TLE207x 在 ±15 V 和 ±5 V 下进行了全面的规格测试。对于低压和/或单电源系统中的应用，建议使用 LinCMOS 系列运算放大器（TLC 和 TLV 前缀）。从 BiFET 放大器转换为 CMOS 放大器时，应特别注意压摆率、带宽要求和输出负载。

• 可直接升级 TL05x、TL07x 和 TL08x BiFET 运算放大器
• 带宽（10 MHz）是 TL07x 的两倍多，压摆率（45 V/μs）是 TL07x 的三倍多
• 保证最大本底噪声为 17 nV/√Hz
• 片上失调电压微调，改善直流性能
• 更宽的电源轨将动态信号范围增加到 ±19 V