TPIC6A596DW

描述: 用于增强级联、具有使能/关断功能的 8 位移位寄存器 24-SOIC -40 to 125
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TPIC6A596DW
商品编号: C2878407
商品封装: SOIC-24-300mil
包装方式: 管装
商品毛重: 1.44克(g)

商品参数

商品概述

TPIC6A596是一款单片高压大电流功率逻辑8位移位寄存器，设计用于需要相对较高负载功率的系统中。器件输出端内置电压钳位，用于感应瞬态保护，每个开漏DMOS晶体管都带有独立的斩波限流电路，可防止短路时发生损坏。该器件包含一个8位串行输入并行输出移位寄存器，为8位D型存储寄存器提供输入，移位寄存器时钟和寄存器时钟的上升沿分别完成移位寄存器和存储寄存器的数据传输。当寄存器清零端为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲；当寄存器清零端为低电平时，器件内所有寄存器清零。当输出使能G为高电平时，输出缓冲中的所有数据保持低电平，所有漏极输出关闭；当输出使能为低电平时，存储寄存器的数据直接传输到输出缓冲。串行输出在移位寄存器时钟的下降沿完成器件输出，为级联应用提供额外保持时间，可在时钟信号偏移、器件间距较大或系统需要承受电磁干扰的应用中提升性能。输出为低边开漏DMOS晶体管，额定输出电压50V，具备350mA连续灌电流能力。提供独立的功率接地和逻辑接地引脚，可提升系统设计灵活性；所有功率接地引脚内部连通，每个功率接地引脚需要外部连接到电源系统地，以最小化寄生阻抗；逻辑接地和功率接地之间需要外部做单点连接，减少逻辑电路和负载电路之间的串扰。该器件提供热增强双列直插封装和宽体表面贴装封装，工作壳温范围为-40℃至125℃。

商品特性

导通电阻典型值为1Ω
具备输出短路保护
单脉冲雪崩能量为75mJ
拥有8路350mA DMOS输出
具备50V开关能力
支持多阶段增强级联
单输入即可清零所有寄存器
低功耗
逻辑电源电压最高7V
逻辑输入电压范围为-0.3V至7V
功率DMOS漏源电压最高50V
连续源漏二极管阳极电流为1A
脉冲源漏二极管阳极电流最高2A
25℃环境下所有输出开启时，脉冲漏电流单路最高1.1A
25℃环境下所有输出开启时，连续漏电流单路为350mA
25℃环境下单路输出峰值漏电流最高1.1A
雪崩电流为600mA
工作虚拟结温范围为-40℃至150℃
存储温度范围为-65℃至150℃
距离封装1.6mm处引脚可耐260℃高温持续10秒

应用领域

需要较高负载功率的系统
继电器驱动
螺线管驱动
其他中电流或高压负载驱动

	属性	参数值
	商品目录	移位寄存器
	功能	串行至串行或并行
	工作电压	4.5V~5.5V
	时钟频率(fc)	10MHz
	元件数	-
	输出类型	开漏
	系列	TPIC
	耗散功率(Pd)	1750mW

	属性	参数值
	传播延迟(tpd)	20ns@5V,30pF
	输出电流	350mA
	分辨率(位)	8
	输入类型	-
	灌电流(IOL)	350mA
	拉电流(IOH)	-
	工作温度	-40℃~+125℃
	功能特性	异步清零功能；输出使能